Карточка №16.4а (стр.471- 472)
Электропроводность полупроводников
1)Какие факторы создают собственную электропроводность кристаллов?
а)Повышение температуры
б)Ультрафиолетовое излучение
в)Радиация
г)Все перечисленные выше
2)Почему с увеличением температуры увеличивается проводимость полупроводникового кристалла?
а)Увеличивается кол-во пар свободных носителей зарядов
б)Увеличивается длина свободного пробега электронов
в)Увеличивается ширина зоны проводимости
3)Как влияют примесные зоны на процесс образования пар свободных носителей зарядов?
а)Облегчают
б)Затрудняют
4) Отчего зависит значение примесной электропроводности кристалла?
а)От материала примеси
б) От кол-во примеси
в)От того и от другого
Карточка №16.4б (стр 476)
Электропроводность полупроводников
1)Где образуются свободные носители заряда при введении сурьмы в качестве примеси в германий?
а)Электроны - в зоне проводимости, дырки - примесной зоне
б)Электроны - в зоне проводимости , дырки - в валентной зоне
в)Электроны - примесной зоне, дырки - в зоне проводимости
2)Где образуются свободные носители заряда при введении бора в качестве примеси в кремний?
а)Электроны - в зоне проводимости, дырки - в валентной зоне
б)Электроны - в примесной зоне , дырки - в валентной зоне
в)Электроны - в валентной зоне , дырки - в примесной зоне
3) К какому типу относится:
a- кристалл с примесью сурьмы
b- кристалл кремния с примесью бора
а) a), b) К n- типу
б) a) К n- типу; b) p- типу
в) а) К p- типу; b) n - типу
Карточка №16.5а (стр 479-480)
Электронно- дырочный переход
1)Назовите свободные носители заряда:
a- в кристалле кремния с примесью мышьяка
b- в кристалле германия с примесью индия
а) а), b) Электроны
б) а) дырки ; b) электроны
в) а) электроны ; b) дырки
2)В двух прижатых друг к другу кристалла разного типа электроны диффундируют слева направо, а дырки - справа налево. Как расположены кристаллы?
а)Слева - n-типа, справа - p-типа
б)Слева - p-типа, справа - n-типа
3)Как изменяется ширина обедненного слоя с увеличением концентрации примесей?
а)Не меняется
б)Уменьшается
в)Увеличивается
4)К кристаллу p-типа подключен плюс источника напряжения, к кристаллу n-типа - минус. Какие носители заряда обеспечивают прохождение тока через p-n-переход?
а)Основные
б)Неосновные
Карточка №16.5б (стр 482)
Электронно-дырочный переход
1)Чем объясняется нелинейность вольт-амперной характеристики p-n-перехода?
а)Дефектами кристаллической структуры
б)Вентильными свойствами
2)Какой пробой опасен для p-n-перехода?
а)Тепловой
б)Электрический
в)Тот и другой
3)Какие носители заряда размножаются ударной ионизацией атомов?
а)Основные
б)Неосновные
4)Какие носители заряда проникают сквозь потенциальный барьер вследствие тунельного эффекта?
а)Основные
б)Неосновные
5)Чес объясняются емкостные свойства p-n-перехода?
а)Возникновением двух разноименных объемных зарядов
б)Недостаточно плотным соединением кристаллов разного типа
Карточка №16.6а (стр 485)
Полупроводниковые диоды
1)Укажите основное достоинство точечного диода
а)Малые размеры
б)Простота конструкции
в)Малая емкость p-n-переходы
2)Какой метод не применяется для создания p-n-перехода в плоскостных диодах?
а)Формовка большими импульсными токами
б)Сплавление
в)Диффузия
3)Как изменяется пробивное напряжение диода с увеличением температуры от 0 до 70 С0 ?
а)Увеличивается
б)Уменьшается
в)Это зависит от материала диода
4)С какой целью мощные диоды изготавливают в массивных металлических корпусах?
а)Для повышения прочности
б)Для лучшего отвода теплоты
в)Для повышения пробивного напряжения
Карточка №16.16 (стр 488-489)
Полупроводниковые диоды
1)Какие диоды применяют для выпрямления переменного тока?
а)Плоскостные
б)Точечные
в)Те и другие
2)Какие диоды применяют
a-для получения постоянного тока в химическом производстве
b-в качестве детекторов в радиоприемных устройствах?
а)a)Точечные;b)Плоскостные
б)a)Плоскостные;b)Точечные
3)Какие диоды работают в режиме пробоя?
а)Варикапы
б)Стабилитроны
в)Туннельные диоды
г)При пробое диоды выходят из строя
4)Какие диоды используют для генерации электрических колебаний?
а)Генераторы электрических колебаний могут быть построены на триодах
б)Импульсные диоды
в)Туннельные диоды
5)Какими буквами маркируют высокочастотные и туннельные диоды?
а)В и Т
б)А и И
в)В и С
Карточка№16.7а (стр 492-493)
Биполярный транзистор
1)В каком направлении включается эмиттерный и коллекторный p-n- переходы?
а)Это зависит от типа транзистора ( n-p-n или p-n-p)
б)Эмиттерный - в прямом, коллекторный - в обратном
в)Оба - в прямом направлении
г)Эмиттерный - в обратном, коллекторный - в прямом
2)Какие конструктивные особенности принципиально отличают базу от эмиттера или коллектора?
а)Толщина
б)Тип примеси
в)Концентрация примеси
г)Все указанные выше
3)Как изменится ток базы с увеличением концентрации легирующей примеси в ней?
а)Не изменится
б)Увеличится
в)Уменьшится
4)Как изменится коэффициент усиления по току:
a- с увеличением толщины базы
b- с увеличением концентрации примеси в базе?
а) а), b) Не изменится
б) а) Увеличится; b) уменьшится
в) а) Уменьшится ; b) увеличится
г) а), b) уменьшится
5)Что произойдет, если в транзисторе
типа p-n-p плюс подключить к коллектору,а минус к эмиттеру?
а)Прибор выйдет из строя
б)Транзистор не будет работать
в)Уменьшится коэффициент усиления
Карточка №16.7б (стр 496)
Биполярный транзистор
1)Укажите полярность напряжения:
а- на эмиттере транзистора типа p-n-p
b- на коллекторе транзистора типа n-p-n
а) а), b) Плюс
б) а), b) Минус
в) а) Плюс ; b) минус
2)Транзистор включен по схеме с общей базой. Может ли превышать единицу:
а- коэффициент усиления по току
b- коэффициент усиления по напряжению?
а) а), b)Могут
б) а) Может ;b)не может
в) а)не может ; b)может
3)При какой схеме включения транзистора коэффициент усиления по мощности меньше или равен единице?
а)С общей базой
б)С общим эмиттером
в)С общим коллектором
г)Во всех случаях он больше единицы
Карточка №16.7в (стр 498-499)
Биполярный транзистор
1)Как называется зависимость
Iк=f(Iэ) при Uк=const?
а)Входной характеристикой
б)Выходной характеристикой
в)Переходной характеристикой
2)Семейство каких характеристик можно получить, меняя Iэ?
а)Входных характеристик
б)Выходных характеристик
в)Переходных характеристик
3)Какая схема включения транзистора эквивалентна схеме катодного повторителя?
а)С общей базой
б)С общим эмиттером
в)С общим коллектором
Карточка №16.9 (стр 507-508)
Тиристоры
1)Каким способом нельзя перевести тиристор из открытого состояния в закрытое?
а)Уменьшением до нуля напряжения на основных электродах
б)Изменением полярности напряжения на основных электродах
в)Изменением полярности напряжения на управляющем электроде
2)Сколько n-p- переходов имеет метричный тиристор?
а)3
б)4
в)5
3)Чему равны коэффициенты и на участке 1 кривой, изобр. на рис.16.31?
а)Близки к единице
б)Близки к нулю
4)Что произойдет с коэффициентами и вблизи точки 2 (см. рис. 16.31)?
а)Изменят знак
б)Быстро возрастут
5)Чем определяется угол наклона участка 4 относительно горизонтальной оси? (см. рис. 16.31)
а)Напряжением на основных эклетродах
б)Напряжением на управляющих элктродах
в)Сопротивлением нагрузки, включенной последовательно с тиристором
Карточка №16.10 (стр 509-510)
Области применения транзисторов и тиристоров
1)Какой буквой в маркировке обозначают управляемый тиристор?
а)Т
б)У
в)П
2)Из какого материала изготовлена база транзистора, марка которого начинается с цифры 2?
а)Из кремния
б)Из германия
3)В каких схемах нецелесообразно использовать транзисторы?
а)В схемах генерации высокочастотных колебаний
б)В схемах усиления сигналов по мощности
в)В схемах выпрямления переменных токов
4)Какие приборы целесообразно использовать для преобразования параметров тока в системах энергоснабжения?
а)Биполярные транзисторы
б)Полевые транзисторы
в)Тиристоры
5)В каких областях техники находят применение транзисторы и тиристоры?
а)В технике связи
б)В вычислительной технике
в)В автоматике
г)Во всех перечисленных
Карточки №17.1 (стр 511-512)
Основные понятия и определения
1)Какова природа светлого излучения?
а)Волновая
б)Квантовая
в)Двойственная - квантово-волновая
2)Зависит ли энергия от интенсивности светового потока Ф?
а)Это зависит от спектрального состава излучения
б)Да
в)Нет
3)Как влияет изменение температуры окружающей среды на качество работы фотоэлектрических приборов?
а)Положительно
б)Отрицательно
в)Не влияет
Карточка №17.4 (стр 519)
Фоторезисторы
1)Какими свободными носителями зарядов обусловлен ток в обычном резисторе?
а)Электронами
б)Дырками
в)И электронами , и дырками
2)Какими свободными носителями зарядов обусловлен ток в фоторезисторе?
а)Дырками
б)Электронами
в)И электронами, и дырками
3)Обладает ли полупроводниковый фоторезистор односторонней проводимостью?
а)Да
б)Нет
в)Это зависит от материала, из которого он изготовлен
Карточка №17.5 (стр 522)
Фотодиоды
1)Какое различие существует между фотодиодом и обычным полупроводниковым диодом?
а)Принципиальное
б)Конструктивное
в)Функциональное
2)Можно ли использовать неосвещенный фотодиод в качестве выпрямителя?
а)Да
б)Нет
3)Каково соотношение полярности напряжений на зажимах освещенного и неосвещенного фотодиодов?
а)
б)
в)
г)
Карточка №17.6 ( стр 524- 525)
Фототранзисторы
1)Какие носители обеспечивают ток в базе фототранзистора типа p-n-p?
а)Электроны и дырки
б)Только электроны
в)Только дырки
2)Каково влияние электронов, накапливающихся в базе фототранзистора, на чувствительность прибора?
а)Уменьшают чувствительность
б)Увеличивают чувствительность
в)Не влияют на чувствительность
3)Каким должно быть соотношение концентрации носителей зарядов в эмиттере и базе фототранзистора для его нормальной работы?
а)Одинаковы
б)Концентрация носителей в базе должна быть больше, чем в эмиттере
в)Концентрация носителей в эмиттере должна быть больше, чем в базе
4)Можно ли использовать неосвеценный фототранзистор в обычном усилительном режиме?
а)Да
б)Нет
в)Это зависит от конструкции фототранзистора
Карточка №18.1 ( стр 528)
Однополупериодный выпрямитель
1)Каким должно быть соотношение между прямым сопротивлением диода Rпр и Rобр?
а) Rпр > Rобр
б) Rпр < Rобр
в) Rпр = Rобр
г) Rпр << Rобр
2)Какое напряжение зафиксирует вольтметр, подключенный
к Rн и проградуированный в средних значениях напряжения, если U2m=282 В?
а)U0=141 В
б)U0=127 В
в)U0=90 В
3)Каково соотношение между действующими значениями напряжения на зажимах вторичной обмотки трансформатора U2 и на сопротивлении нагрузки U2н
а)U2 > U2н
б)U2 = U2н
в)U22н
Карточка №18.2 (стр 530- 531)
Двухполупериодный выпрямитель
1)Укажите, какова форма тока, проходящего через каждый диод мостовой схемы
а) [pic]
б)
[pic]
в) [pic]
2)Каково соотношение между показаниями амперметров, реагирующих на действующее значение тока, один из которых включен в цепь вторичной обмотки трансформатора, а другой - в цепь Rн
а) I2> Iн
б) I2< Iн
в) I2= Iн
3)Каковы показания амперметров, реагирующих на среднее значение тока, включенных, как это указанно в предыдущем вопросе?
а) I02 = I0Н = 0.91I2
б) I02 = 0 ; I0Н=0.9I2
Карточка №18.3 (стр 533 - 534)
Трехфазный выпрямитель
1)Какое из указанных соотношений не относится к схеме трехфазного выпрямителя?
а) r = 0.25
б)Uобр =U
в)Uобр = Um
г)Iср = I0/2
2)Возможно ли непосредственное подключение (без трансформатора) трехфазного выпрямителя к зажимам трехфазной сети?
а)Невозможно
б)Возможно
в)Это зависит от конкретных условий
Карточка №18.4 ( стр 536 - 537)
Выпрямитель на тиристоре. Стабилизатор напряжения
1)Каково соотношение между прямым и обратным сопротивлениями тиристора при отсутствии управляющих импульсов и напряжении на тиристоре ниже напряжения переключения?
а)Rобр >> Rпр
б)Rобр <пр
в)Rобр = Rпр
2)Запирается ли тиристор после снятия управляющего импульса?
а)Да
б)Нет
в)Это зависит от длительности управляющего импульса
Карточка № 18.5 ( стр 540 - 541)
Сглаживающие фильтры. Выпрямление с умножением напряжения
1)Как изменится коэффициент пульсации в схеме с емкостным фильтром, если Rн уменьшиться?
а) kп не изменится
б)kп увеличится
в)kп уменьшится
2)Как повлияет увеличение частоты питающего напряжения на работу емкостного сглаживающего фильтра?
а)Сглаживание улучшится
б)Сглаживание ухудшится
в)Сглаживание не изменится
3)Каким должно быть соотношение между индуктивным сопротивлением дросселя фильтра и емкостным сопротивлением конденсатора, чтобы сглаживание было хорошим? (f- частота выпрямленного напряжения)
а)=
б)>>
в)<<
3)Выберите правильное соотношение между активным сопротивлением дросселя Rдр и сопротивлением нагрузки Rн
а)Rн > Rдр
б)Rн >> Rдр
в)Rн < Rдр
г)Rн = Rдр
