План-конспект урока №4 Электрический ток в полупроводниках.

Автор публикации:

Дата публикации:

Краткое описание: План-конспект урока №4 "Электрический ток в полупроводниках." к теме: "Электрический ток в различных средах". Учебник Г. Я. Мякишев и др. Физика: 10-11 кл, Электродинамика. М-2006. Коллекция план-конспектов уроков и поурочных тестов для закрепления изученного материала. Для успешн�...


Урок №2. Электрический ток в полупроводниках.

Задачи урока:

  • изучить природу носителей электрического тока в полупроводниках;

  • сформировать умения применять электронные представления о проводимости полупроводников;

  • показать применение полупроводников.

План урока

1. Повторение изученного материала.

Самоконтроль №1 "Проверь, как изучил материал" 

3. Изучение нового материала.

  • собственная проводимость

  • примесная проводимость

  • р–n переход. Диод

4. Самоконтроль №2 "Проверь, как понял теорию" 

5. Итоги урока.

6. Домашнее задание


Повторение. «Проверь, как изучил материал!».

Ответь на поставленные вопросы, результат запиши в тетрадь!

  1. П [pic] очему при увеличении температуры проводника, сила электрического тока уменьшатся?

  2. Как можно объяснить увеличение силы тока в термисторе с при эго нагревании?

Выполни задание с выбором ответа!

Явление уменьшения удельного сопротивления до нуля называется...

  1. сверхпроводимостью

  2. испарением.

  3. отвердеванием

  4. конденсацией



Ход урока.


Электрический ток в металлах и полупроводниках.











[pic] [pic]



Электрический ток в полупроводниках. Существует особый класс кристаллических тел, которые не являются такими хорошими проводниками, как металлы, но и не являются такими хорошими изоляторами как диэлектрики. Эти вещества обладают особыми физическими свойствами. Их подробно изучал [link]

Удельное сопротивление убывает с ростом освещенности. Эта зависимость используется в фоторезисторах.

 При введении примесей иной валентности, в полупроводниках удельное сопротивление уменьшается, т.к. растет число свободных носителей заряда.

2. Строение полупроводников.

В полупроводниках атомы связаны ковалентными (парноэлектронными) связями, которые при низких температурах и освещенности прочны. С ростом же температуры и освещенности эти связи могут разрушаться, образуя свободный электрон и "дырку".

Типичными представителями полупроводников являются германий и кремния.

Реальными частицами являются лишь электроны (e). Электронная проводимость обусловлена движением свободных электронов. Дырочная проводимость вызвана движением связанных электронов, которые переходят от одного атома к другому, поочерёдно замещая друг друга, что эквивалентно движению “дырок” в противоположном направлении. “Дырке” условно приписывается “+” заряд.

В чистых полупроводниках концентрация свободных электронов и “дырок” одинаковы. Электронно-дырочная проводимость – проводимость, вызванная образованием свободных носителей заряда (электронов и “дырок”), образующихся при разрыве ковалентных связей, называется собственной проводимостью.

Примесная проводимость – проводимость, обусловленная образованием свободных носителей заряда при внесении примесей иной валентности (n).


Донорная примесь


Удельное сопротивление (p) убывает, если t0 - растет. Эта зависимость используется в термисторах Индий в германий

[pic] [pic]




Донорная примесь

nпримеси > nполупроводник 

Мышьяк в германий 

nприм. =5; nп/прово-к=4 

Каждый атом примеси вносит свободный электрон

Акцепторная примесь

nпримеси < n полупроводник

Индий в германий

nприм. =3; nп/прово-к=4

Каждый атом примеси захватывает  электрон из основного полупроводника, создавая дополнительную дырку

Полупроводники n – типа с донорной примесью 

Полупроводники р – типа с акцепторной примесью

Основные носители заряда

электроны 

Основные носители заряда

о – “дырки”

Не основные носители

о – “дырки” 

Не основные носители

электроны

Проводимость электронная

Проводимость дырочная

По механизму образования свободных носителей заряда проводимость полупроводников делится на собственную и примесную. По виду основных носителей заряда делится на: электронную, дырочную, электронно–дырочную.

[pic]
[pic]

Контакт полупроводников p и n – типов.

Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода при контакте

1. Образуется контактное электрическое поле, в результате диффузии электронов в полупроводник р-типа, а дырок полупроводник n-типа. Создаётся запирающий слой для основных носителей заряда.

Односторонняя проводимость p – n – перехода

При таком включении (рис. 2) p-n-перехода внешнее электрическое поле напряженностью ослабляет к , обогащает пограничный слой основными носителями и обеспечивает ток значительной силы, называемый прямым и обусловленный движением основных носителей заряда.

При обратном включении усиливает к , пограничный слой обедняется основными носителями заряда. Течёт очень малый ток, обусловленный движением не основных носителей заряда через p-n-переход, которых очень мало.

[pic] [pic] [pic]



Собственная проводимость полупроводников мала, но при наличии примесей наряду с собственной проводимостью возникает примесная проводимость. Именно эта особенность полупроводников открывает широкие возможности для их применения в радиоэлектронной промышленности.

Домашние задание:

Учебник:  Г. Я. Мякишев и др. Физика: 10-11 кл, Электродинамика. М-2006.

  1. § 3.15 - 3.20, стр. 309

  2. § 3.21. Примеры решения задач, стр. 329

  1. Какими носителями электрического заряда может создаваться ток в металлических проводниках?

  2. Как изменяется сопротивление полупроводников с ростом температуры?