Урок №2. Электрический ток в полупроводниках.
Задачи урока:
изучить природу носителей электрического тока в полупроводниках;
сформировать умения применять электронные представления о проводимости полупроводников;
показать применение полупроводников.
План урока
1. Повторение изученного материала.
Самоконтроль №1 "Проверь, как изучил материал"
3. Изучение нового материала.
собственная проводимость
примесная проводимость
р–n переход. Диод
4. Самоконтроль №2 "Проверь, как понял теорию"
5. Итоги урока.
6. Домашнее задание
Повторение. «Проверь, как изучил материал!».
Ответь на поставленные вопросы, результат запиши в тетрадь!
П [pic] очему при увеличении температуры проводника, сила электрического тока уменьшатся?
Как можно объяснить увеличение силы тока в термисторе с при эго нагревании?
Выполни задание с выбором ответа!
Явление уменьшения удельного сопротивления до нуля называется...
сверхпроводимостью
испарением.
отвердеванием
конденсацией
Ход урока.
Электрический ток в металлах и полупроводниках.
[pic] [pic]
Электрический ток в полупроводниках. Существует особый класс кристаллических тел, которые не являются такими хорошими проводниками, как металлы, но и не являются такими хорошими изоляторами как диэлектрики. Эти вещества обладают особыми физическими свойствами. Их подробно изучал [link]
Удельное сопротивление убывает с ростом освещенности. Эта зависимость используется в фоторезисторах.
При введении примесей иной валентности, в полупроводниках удельное сопротивление уменьшается, т.к. растет число свободных носителей заряда.
2. Строение полупроводников.
В полупроводниках атомы связаны ковалентными (парноэлектронными) связями, которые при низких температурах и освещенности прочны. С ростом же температуры и освещенности эти связи могут разрушаться, образуя свободный электрон и "дырку".
Типичными представителями полупроводников являются германий и кремния.
Реальными частицами являются лишь электроны (e). Электронная проводимость обусловлена движением свободных электронов. Дырочная проводимость вызвана движением связанных электронов, которые переходят от одного атома к другому, поочерёдно замещая друг друга, что эквивалентно движению “дырок” в противоположном направлении. “Дырке” условно приписывается “+” заряд.
В чистых полупроводниках концентрация свободных электронов и “дырок” одинаковы. Электронно-дырочная проводимость – проводимость, вызванная образованием свободных носителей заряда (электронов и “дырок”), образующихся при разрыве ковалентных связей, называется собственной проводимостью.
Примесная проводимость – проводимость, обусловленная образованием свободных носителей заряда при внесении примесей иной валентности (n).
Донорная примесь
Удельное сопротивление (p) убывает, если t0 - растет. Эта зависимость используется в термисторах Индий в германий
[pic] [pic]
Донорная примесь nпримеси > nполупроводник
Мышьяк в германий
nприм. =5; nп/прово-к=4
Каждый атом примеси вносит свободный электрон
Акцепторная примесь
nпримеси < n полупроводник
Индий в германий
nприм. =3; nп/прово-к=4
Каждый атом примеси захватывает электрон из основного полупроводника, создавая дополнительную дырку
Полупроводники n – типа с донорной примесью
Полупроводники р – типа с акцепторной примесью
Основные носители заряда
электроны
Основные носители заряда
о – “дырки”
Не основные носители
о – “дырки”
Не основные носители
электроны
Проводимость электронная
Проводимость дырочная
По механизму образования свободных носителей заряда проводимость полупроводников делится на собственную и примесную. По виду основных носителей заряда делится на: электронную, дырочную, электронно–дырочную.
[pic]
[pic]
Контакт полупроводников p и n – типов.
Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода при контакте
1. Образуется контактное электрическое поле, в результате диффузии электронов в полупроводник р-типа, а дырок полупроводник n-типа. Создаётся запирающий слой для основных носителей заряда.
Односторонняя проводимость p – n – перехода
При таком включении (рис. 2) p-n-перехода внешнее электрическое поле напряженностью ослабляет к , обогащает пограничный слой основными носителями и обеспечивает ток значительной силы, называемый прямым и обусловленный движением основных носителей заряда.
При обратном включении усиливает к , пограничный слой обедняется основными носителями заряда. Течёт очень малый ток, обусловленный движением не основных носителей заряда через p-n-переход, которых очень мало.
[pic] [pic] [pic]
Собственная проводимость полупроводников мала, но при наличии примесей наряду с собственной проводимостью возникает примесная проводимость. Именно эта особенность полупроводников открывает широкие возможности для их применения в радиоэлектронной промышленности.
Домашние задание:
Учебник: Г. Я. Мякишев и др. Физика: 10-11 кл, Электродинамика. М-2006.
§ 3.15 - 3.20, стр. 309
§ 3.21. Примеры решения задач, стр. 329
Какими носителями электрического заряда может создаваться ток в металлических проводниках?
Как изменяется сопротивление полупроводников с ростом температуры?